Факультатив «Квантовая электроника»
в лаборатории экспериментальной физики ФФ НГУ

Факультатив поддерживается институтом лазерной физики СО РАН.
Директор института — академик РАН Багаев Сергей Николаевич, e-mail: bagayev@laser.nsc.ru, телефон: (383-2)33-24-89.
Заместитель директора — профессор Александр Капитонович Дмитриев. Тел. (3832) 34-39-21.
Заместитель зав. кафедрой — профессор Евгений Анатольевич Титов. E-mail: Titov@laser.nsc.ru.

Научные руководители факультатива:
Трунов Владимир Иванович, к. ф.-м. н., с. н. с., лаборатория 1.9, тел.: 34-48-36, e-mail: trunov@laser.nsc.ru;
Луговой Алексей Анатольевич, н. с., группа 2.4, тел.: 33-21-27, e-mail: lugovoy@laser.nsc.ru.

Чепуров Сергей Васильевич, к. ф.-м. н., н. с., группа 1.3, тел.: 33-21-27, e-mail: chepurov@laser.nsc.ru
(вел курс в 2002 г.).

Фотогалерея факультатива и кафедры квантовой электроники.

Цель факультатива — познакомить студентов младших курсов с современными проблемами квантовой электроники. На данном факультативе студенты познакомятся с методами подготовки и проведения экспериментов, связанных с проблемами квантовой оптики, нелинейной оптики, лазерной физики и спектроскопии, будут самостоятельно проводить эксперименты по данной тематике. Курс «Квантовая электроника» призван помочь студентам освоить практические основы таких разделов физики как оптика, квантовая механика. Здесь им предоставляется возможность выполнения курсовых работ взаимосвязанных с темами практикумов «Оптика» и «Атомная физика». Кроме того, у студентов посещающих данный курс, существует возможность ознакомиться с задачами и рассмотреть перспективы сотрудничества с лабораториями и научными подразделениями института лазерной физики СО РАН в своей дальнейшей научной карьере.

Темы курсовых работ

1. Исследование характеристик полупроводникового лазера.
   Исследование зависимости частоты генерации полупроводникового лазера от температуры.
   Исследование зависимости порогового тока от температуры лазерного диода.
   Исследование пространственных характеристик излучения полупроводникового лазера.
   Использование призменных расширителей пучка для коррекции формы пучка.
2. Получение одночастотного режима генерации полупроводникового лазера.
   Контроль режима по внешнему интерферометру. Оценка межмодового интервала.
   Исследование перестроечных характеристик при помощи пьезокерамики и инжекционного тока.
   Измерение чуствительности пьезокерамики.
3. Исследования переходов в атомах Cs и Rb в ближнем ИК диапазоне.
   Наблюдение допплеровски-уширенных линий в Cs и Rb.
   Получение резонансов насыщенного поглощения.
4. Получения второй гармоники в нелинейных кристаллах.
   Получение второй гармоники 850 нм в кристалле LiO₃.
   Исследование зависимости эффективности преобразования во вторую гармонику от различных факторов.