Я бы хотел перейти к другой теме, связанной с тем, что даёт технология. Наш институт является разработчиком и держателем технологии, которая называется молекулярно-лучевой эпитаксией. Здесь схематично показано, что это такое.

Схема установки по молекулярно-лучевой эпитаксии.

Существует вакуумный объём — металлическая бочка кубометровых объемов с чрезвычайно высоким вакуумом внутри. Существует подложка, на которую из источников по одному атомному слою наносится вещество и, таким образом, получают искусственные кристаллы, гетеропереходы и сверхрешетки, которых в природы на существуют. Особенностью этой методики является большое количество аналитических методов, таких как дифракция медленных электронов, эллипсометрия, по которой наш Институт является лидером — у нас этот метод доведён до совершенства — эти методы и дают возможность в процессе создания говорить об атомном составе создаваемых структур.

Так выглядит установка МЛЭ в реальности.

Вид установки по молекулярно-лучевой эпитаксии.

Эта техника, которой мы гордимся, она создана напряженным трудом большого числа сотрудников под руководством покойного ныне профессора С. И. Стенина. Сейчас этими работами в Институте руководят его коллеги и ученики, заведующие лабораториями О. Пчеляков, А. Торопов и Ю. Сидоров. Таких камер где проводилась выращивание полупроводниковых структур в разных вариантах, в своё время, расцвет этой деятельности - это 80-е годы, — было создано порядка сотни реально 80 единиц. Они были скомпонованы в 35 установок — половина или треть из которых находится у нас в Институте, половина поставлена в учреждения по всей стране, в частности в такие уважаемые организации как Физический институт имени П. Лебедева и т. д. Эти работы были дважды удостоены Государственных премий: в 1993 и 1995 годах. По этой технологии в России мы являемся в известной степени монополистами.